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MOSFET的導(dǎo)通電阻

2020-09-15

何謂導(dǎo)通電阻?

MOSFET工作(啟動)時,漏極和源極間的阻值稱為導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))。
數(shù)值越小,工作時的損耗(功率損耗)越小。

關(guān)于導(dǎo)通電阻的電氣特性

晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓 (VCE(sat)) 乘以集電極電流(IC)表示。

  • (集電極損耗PC))=(集電極飽和電壓VCE(sat) )x(集電極電流IC

  • MOSFET的消耗功率是用漏極源極間導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 計算。
    MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導(dǎo)通電阻乘以漏極電流(ID)的平方表示。

  • (功率PD)=(導(dǎo)通電阻RDS(ON) ) x (漏極電流ID2

  • 此功率將變成熱量散發(fā)出去。
    MOSFET的導(dǎo)通電阻一般在Ω級以下,與一般的晶體管相比,消耗功率小。即發(fā)熱小,散熱對策簡單。

導(dǎo)通電阻-柵極源極間電壓特性、導(dǎo)通電阻-結(jié)溫特性

如左上圖所示,柵極源極間電壓越高,導(dǎo)通電阻越小。另外,柵極源極間電壓相同的條件下,導(dǎo)通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時,需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流,選擇適合的導(dǎo)通電阻。
另外,如右上圖所示,導(dǎo)通電阻因溫度變化而變化,因此需要注意這一特性。

導(dǎo)通電阻比較

一般MOSFET的芯片尺寸(表面面積)越大,導(dǎo)通電阻越小。


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