MOS晶體管是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點,在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。本文我們主要介紹MOS晶體管的分類有哪些?
下面我們主要從兩個方面來介紹MOS晶體管的分類:
MOS晶體管按溝道區(qū)中載流子類型分為兩類:N溝MOS晶體管和P溝MOS晶體管。
N溝MOS晶體管:襯底為P型,源漏為重摻雜的N+,溝道中載流子為電子;
P溝MOS晶體管:襯底為N型,源漏為重摻雜的P+,溝道中載流子為空穴。
在正常情況下,只有一種類型的載流子在工作,因此也稱其為單極晶體管。
MOS晶體管按工作模式分為增強型晶體管和耗盡型晶體管:
增強型晶體管:若在零柵壓下不存在漏源導(dǎo)電溝道,為了形成導(dǎo)電溝道,需要施加一定的柵壓,也就是說溝道要通過“增強”才能導(dǎo)通;
耗盡型晶體管:器件本身在漏源之間就存在導(dǎo)電溝道,即使在零柵壓下器件也是導(dǎo)通的。若要使器件截止,就必須施加?xùn)艍菏箿系篮谋M。
MOS晶體管件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的,雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二極管,但稍不注意,也會損壞,在使用過程中要注意電路負載情況。
濟南魯晶半導(dǎo)體有限公司是一家以半導(dǎo)體二極管、三極管、MOS管、碳化硅器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為主導(dǎo)的高新技術(shù)企業(yè),對于產(chǎn)品的質(zhì)量及參數(shù)有較高的要求,且型號眾多,提供客戶最優(yōu)方案。