21世紀，是信息技術(shù)大爆發(fā)的時代，在信息技術(shù)快速發(fā)展過程中，必然離不開半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展。半導(dǎo)體材料、器件的發(fā)展必將引發(fā)一場全新的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革命。以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料在短波長激光器、白光發(fā)光管、高頻大功率器件等方面有廣闊的應(yīng)用，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的一個熱門方向。而碳化硅肖特基二極管是其中一個重要的分支部分。那么碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢特點有哪些呢？下面我們來來了解一下。
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石，呈顆料或粉末狀。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種?？梢苑Q為金鋼砂或耐火砂。
與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高壓特性
2、高頻特性
3、高溫特性
碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）的器件采用了結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），可以有效降低反向漏電流，具備更好的耐高壓能力。碳化硅肖特基二極管是一種單極型器件，因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（Si FRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢，有如下特點：
1. 幾乎無開關(guān)損耗
2. 更高的開關(guān)頻率
3. 更高的效率
4. 更高的工作溫度
5. 正的溫度系數(shù)，適合于并聯(lián)工作
6. 開關(guān)特性幾乎與溫度無關(guān)
目前碳化硅器件發(fā)展情況如何?
1，技術(shù)參數(shù)：舉例來說，肖特基二極管電壓由250伏提高到1000伏以上，芯片面積小了，但電流只有幾十安。工作溫度提高到180℃，離介紹能達600℃相差很遠。壓降更不盡人意，與硅材料沒有差別，高的正向壓降要達到2V。
2，市場價格：約為硅材料制造的5到6倍。
但是碳化硅(SiC)器件發(fā)展中的難題又在哪里?
綜合各種報道，難題不在芯片的原理設(shè)計，特別是芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計解決好并不難。難在實現(xiàn)芯片結(jié)構(gòu)的制作工藝。
但是隨著技術(shù)的發(fā)展和人們需求的增加，碳化硅材料會得到迅猛的發(fā)展，這對于半導(dǎo)體行業(yè)會是一個極大的利好機會，同時對電子行業(yè)的發(fā)展會起到極大的促進作用，對從事電子行業(yè)的公司是一個極大的挑戰(zhàn)，同時也是一個極大的機遇。
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