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5G和新能源汽車應(yīng)用爆發(fā)在即,原廠爭先布局SiC、GaN

2019-09-16

受材料特性所限,硅器件各方面的性能已經(jīng)接近理論極限,此背景下,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用受到關(guān)注。這類材料中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的發(fā)展相對更成熟,氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)等材料的研究尚在起步階段。隨著新能源汽車的普及和5G的商用,廠商針對SiC或GaN做了新的布局。

新能源車帶動SiC市場

目前,車用功率模塊的主流材料是IGBT。據(jù)了解,IGBT的成本約占驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)約占全車成本15%-20%,因此IGBT在一輛電動汽車中約占8%-10%的成本。據(jù)德勤預(yù)測,2020年全球新能源車銷量將達(dá)到400萬輛,2025年達(dá)到1200萬輛,2030年達(dá)到2100萬輛。由此可知,未來十年內(nèi)車規(guī)級功率器件將有更大的空間。

值得注意的是,IGBT的下一代SiC技術(shù)已經(jīng)嶄露頭角。SiC能將新能源汽車的效率再提高10%,使用SiC工藝生產(chǎn)的功率器件的導(dǎo)通電阻更低、芯片尺寸更小、工作頻率更高,并可耐受更高的環(huán)境溫度。為此,全球領(lǐng)頭廠商均發(fā)力車規(guī)級SiC。

·各廠商SiC技術(shù)布局情況

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羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司設(shè)計(jì)中心所長水原德健對

羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司設(shè)計(jì)中心所長水原德健對《國際電子商情》分析師透露,羅姆已經(jīng)在SiC生產(chǎn)中確立了垂直統(tǒng)合生產(chǎn)體制。2009年,該公司收購了德國單晶晶圓制造商SiCrystal,構(gòu)建起從SiC原材料到晶體生長、晶圓加工、檢測的晶圓一條龍生產(chǎn)體制。2010年,羅姆開始量產(chǎn)SiC功率元器件,現(xiàn)在主要有SiC-SBD、SiC-MOSFET和全SiC功率模塊系列產(chǎn)品。

2018年,汽車電子和工業(yè)設(shè)備約占羅姆整體營收的48%。預(yù)計(jì)到2020年,這兩個(gè)業(yè)務(wù)將占全部營收的51%。根據(jù)規(guī)劃,羅姆專注的三大產(chǎn)品群分別是大功率產(chǎn)品、模擬、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。

意法半導(dǎo)體新材料和電源解決方案部創(chuàng)新和關(guān)鍵項(xiàng)目戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Filippo Di Giovanni.jpg

意法半導(dǎo)體新材料和電源解決方案部創(chuàng)新和關(guān)鍵項(xiàng)目戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Filippo Di Giovanni


意法半導(dǎo)體新材料和電源解決方案部創(chuàng)新和關(guān)鍵項(xiàng)目戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Filippo Di Giovanni介紹,“在SiC器件市場保持領(lǐng)先地位”已經(jīng)成為ST公司的宏偉目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),ST采取了一系列措施,其中包括:與Cree達(dá)成長期晶圓供應(yīng)協(xié)議,收購SiC晶圓制造商N(yùn)orstel AB的多數(shù)股權(quán),與學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)簽訂多項(xiàng)合作協(xié)議等等。他還稱,ST將繼續(xù)在工業(yè)市場等領(lǐng)域開拓市場及發(fā)展業(yè)務(wù)。

ST 2018年年報(bào)顯示,去年該公司約有30%的業(yè)績歸屬為汽車應(yīng)用。此外,ST總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery曾多次強(qiáng)調(diào),ST在SiC器件方面的目標(biāo)是,隨著SiC市場走向成熟,市場份額要達(dá)到30%,在這個(gè)2025年預(yù)計(jì)市場總量超過30億美元的市場上繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。

2018年5月,Microchip完成了對Microsemi的收購,以此獲得了30多年的SiC分立式電源產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)。

Microchip分立器件及電源管理業(yè)務(wù)部策略營銷經(jīng)理Orlando Esparza介紹, Microchip在整合SiC產(chǎn)品組合、單片機(jī)/模擬解決方案產(chǎn)品組合方面已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。“Microchip希望通過對SiC產(chǎn)品的布局,來順利進(jìn)入電動汽車市場?!彼硎?。

Microchip是寬帶隙計(jì)劃Power America的成員,該組織的成員有美國國家實(shí)驗(yàn)室、高等院校、知名半導(dǎo)體供應(yīng)商和行業(yè)供應(yīng)商。在組織的幫助下,Microchip與各成員建立起密切的聯(lián)系,助力其SiC解決方案的研發(fā)和推廣。

·降低成本,減少電磁干擾

在電動汽車中,車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、主逆變器和電動壓縮機(jī)對功率電子器件要求較高,需要IGBT或SiC功率器件。SiC雖然擁有諸多優(yōu)勢,但是其發(fā)展也受價(jià)格高昂、電磁干擾等缺點(diǎn)的限制。

此前,SiC受限于缺少合適的襯底材料而無法量產(chǎn)。直到上個(gè)世紀(jì)70年代末,一種生長大面積 SiC襯底的方法研制成功,不過這種襯底存在微管缺陷的毛病。微管缺陷限制了每張晶片上器件的良品率,影響著每個(gè)器件的性能參數(shù),還限制了SiC基板的芯片尺寸,導(dǎo)致難以制造出大面積的SiC器件,相應(yīng)地也造成SiC器件的成本過高。

在降成本方面,羅姆的舉措較為突出。該公司致力于晶圓的大口徑化,先一步導(dǎo)入六英寸的SiC產(chǎn)線后,通過增加晶圓面積來提升SiC功率元器件的產(chǎn)能。為了進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)能,羅姆在日本福岡縣筑后工廠投建新廠房。該廠房總建筑面積約為11,000㎡,將于2020年竣工。

由于SiC的開關(guān)頻率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)Si型IGBT,其回路寄生參數(shù)無法忽略,導(dǎo)致電磁干擾的情況發(fā)生。如何盡可能地減輕甚至消滅電磁干擾,一直是廠商關(guān)注的重點(diǎn)。SiC基板是減輕電磁干擾的關(guān)鍵,Cree集團(tuán)旗下電源和RF部門(Wolfspeed)的核心就是SiC基板技術(shù),在業(yè)界較有名氣。為了向客戶提供更優(yōu)質(zhì)的SiC器件,ST與Cree達(dá)成了一項(xiàng)2.5億美元的長期晶圓供應(yīng)協(xié)議,希望通過雙方的合作產(chǎn)出更好的SiC器件。

·SiC不會完全取代IGBT、MOSFET

SiC能夠產(chǎn)生正經(jīng)濟(jì)效益的時(shí)間點(diǎn),將是它能夠得以普及的分水嶺。業(yè)界對于SiC未來是否會取代IGBT、MOSFET持有不同的觀點(diǎn)。Filippo Di Giovanni 認(rèn)為,SiC不會完全取代IGBT或MOSFET。

“我們非常看好SiC,不過需要明確的是,SiC不會完全取代IGBT或MOSFET。對SiC的追求并不代表ST放棄了其他功率器件,現(xiàn)在ST公司仍在投資IGBT及MOSFET,因?yàn)檫@些技術(shù)產(chǎn)品在開關(guān)特性、功耗和成本方面各不相同,所以每一種產(chǎn)品都有適合的應(yīng)用領(lǐng)域?!彼硎?。

5G商用將帶動GaN發(fā)展

實(shí)際上,同為寬禁帶半導(dǎo)體的GaN和SiC在應(yīng)用優(yōu)勢上可以互補(bǔ)。SiC適用于1200V以上的高電壓、大電流的領(lǐng)域,GaN更偏向于高頻、小電流領(lǐng)域。在5G時(shí)代,GaN將有更好的發(fā)展空間。

·當(dāng)前GaN的市場規(guī)模小于SiC

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。另外,Yole的數(shù)據(jù)顯示,2021年全球SiC市場規(guī)模將上漲到5.5億美元,2016-2021年的CAGR(復(fù)合年增長率)為19%,而GaN功率器件在2016-2021年的CAGR為86%,市場將達(dá)到3億美元。當(dāng)前,GaN的市場規(guī)模明顯小于SiC。

Filippo Di Giovanni 解釋稱,以前增強(qiáng)型開關(guān)、耗盡型晶體管常與低壓MOSFET串聯(lián)使用。由于在同一封裝內(nèi)增加了一個(gè)芯片,也增加了封裝的復(fù)雜性,市場對該類解決方案的熱情并不高?!皞鹘y(tǒng)封裝方式使得芯片尺寸較大、寄生電感也較多,導(dǎo)致GaN開關(guān)的潛在高頻優(yōu)勢被減弱。另外,與結(jié)型場效應(yīng)晶體管類似,GaN技術(shù)是橫向結(jié)構(gòu),在高壓處理能力上,很難媲美縱向結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。”

Microchip分立器件及電源管理業(yè)務(wù)部策略營銷經(jīng)理Orlando Esparza.jpg

Microchip分立器件及電源管理業(yè)務(wù)部策略營銷經(jīng)理Orlando Esparza


Orlando Esparza補(bǔ)充說,SiC材料的歷史更悠久,GaN器件是高電子遷移率晶體管(HEMT),用于電源切換的HEMT是一種更新的技術(shù),且該器件不在天然GaN基板上制造,帶來了額外的復(fù)雜性。同時(shí),GaN在可靠性、散熱和成本等方面也存在問題。

針對SiC 和GaN 的應(yīng)用場景,他也做了介紹,當(dāng)電壓小于600V,對雪崩穩(wěn)健性不做要求,且其他可靠性問題都得以解決,則可以選用GaN解決方案。SiC則適用于電壓大于600V的任何場景,其性能明顯優(yōu)于Si且能夠可靠匹配。

水原德健強(qiáng)調(diào),GaN作為SiC功率元器件的補(bǔ)充產(chǎn)品,未來有望得到進(jìn)一步普及,GaN的高頻特性將促使其在低耐壓領(lǐng)域有廣泛地應(yīng)用。

·5G射頻提升對GaN的需求

GaN材料本身存在的不足,如低電場遷移率低、高頻性能差、以異質(zhì)外延技術(shù)生長出的GaN單晶品質(zhì)還不夠好,在很大程度上限制了其應(yīng)用。不過,即將大規(guī)模商用的5G將為GaN帶來較大的機(jī)遇,尤其是射頻方面,對GaN器件需求將非常旺盛。

2018年,羅姆與GaN Systems在GaN功率器件事業(yè)展開了合作。利用GaN Systems的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù),雙方將聯(lián)合開發(fā)GaN器件產(chǎn)品,挖掘其潛力。同時(shí),雙方還將推進(jìn)GaN功率器件的研發(fā)活動,面向工業(yè)設(shè)備、汽車及家電領(lǐng)域發(fā)布新產(chǎn)品。

ST看好硅基的發(fā)展。在射頻產(chǎn)品方面,ST與MACOM建立了合作關(guān)系,并簽署了技術(shù)許可協(xié)議,授權(quán)ST在手機(jī)、無線基站和相關(guān)商用電信基礎(chǔ)設(shè)施以外的射頻市場上制造、銷售硅基GaN產(chǎn)品;在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域,ST與CEA-LETI建立了合作關(guān)系,將重點(diǎn)在8英寸晶圓上開發(fā)和驗(yàn)證制造先進(jìn)硅基GaN架構(gòu)的功率二極體和電晶體。

當(dāng)下仍有95%的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路采用Si材料,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中SiC和GaN的使用量還很少。據(jù)預(yù)測,到2024年,第三代半導(dǎo)體功率電子的滲透率將達(dá)到13%。SiC和GaN以及其他寬禁帶半導(dǎo)體材料仍有很長的路要走。


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