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碳化硅（SIC）是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實(shí)在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進(jìn)一步向前發(fā)展。業(yè)界半導(dǎo)體企業(yè)正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應(yīng)用于具體且具有發(fā)展前景的項(xiàng)目。

碳化硅

碳化硅（SiC）是一種寬帶隙材料，與硅相比，具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如，工作溫度更高，散熱性能得到改善，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低。 不過，寬帶隙材料比硅基材料的量產(chǎn)難度更高。因?yàn)榧児杈A的提升空間的局限性，碳化硅的出現(xiàn)也算是半導(dǎo)體芯片的一種導(dǎo)向和突破。

碳化硅特性

碳化硅的優(yōu)點(diǎn)

更高的性能和工作電壓

• 功率損失極低

• 本征SiC體二極管（MOSFET）（4象限開關(guān)操作）

• 開關(guān)比硅更快，更可靠

• 在擊穿電壓相同的條件下，芯片尺寸更小

• 能效更高

• 導(dǎo)熱性高

更高的工作頻率

• 開關(guān)損耗更低，二極管開關(guān)性能出色

• 更小、更輕量化的系統(tǒng)

更高的工作溫度

• 工作節(jié)溫最高200°C

• 散熱要求降低，可用于輕量化系統(tǒng)，延長使用壽命

容易驅(qū)動

• 完全兼容標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器

• 設(shè)計更簡單