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濟南魯晶半導體有限公司是一家以半導體二極管、三極管、MOS管、碳化硅器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為主導的高新技術企業(yè)。公司生產(chǎn)的"魯晶"品牌二、三極管、MOS管廣泛應用于各類智能家電、電源、適配器、電動工具、LED照明、通訊產(chǎn)品和設備等。

濟南魯晶半導體有限公司研發(fā)銷售的快恢復二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復時間和極高的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的肖特基二極管成品器件；采用SiC材料設計和生產(chǎn)的具有極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管成品器件。

相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC半導體器件具有導通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復二極管的動態(tài)特性:反向恢復時間短，反向恢復電流峰值小。

隨著SiC基半導體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場合下的——寬禁帶半導體材料。

近年來隨著電力電子技術在電動汽車、風力發(fā)電、柔性輸電等新能源領域中應用的不斷擴展，現(xiàn)代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時仍具有更優(yōu)越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。

SiC肖特基二極管(SBD)在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境仍能正常工作，且具有良好的開關性能，在上述領域中有巨大的潛力。