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1、N型半導(dǎo)體：又稱為電子型半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中通過特殊工藝摻入少量的五價元素（如磷、砷、銻等）而形成，其內(nèi)部自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。所以，N半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶負(fù)電的多數(shù)載流子——自由電子，而少數(shù)載流子是空穴。N型半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電。由于自由電子主要由所摻入的雜質(zhì)提供，所以摻入的五價雜質(zhì)越多，自由電子的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。而空穴由熱激發(fā)形成，環(huán)境溫度越高，熱激發(fā)越劇烈。

2、P型半導(dǎo)體：又稱為空穴型半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼）而形成，其內(nèi)部空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度。所以，P型半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶正電的多數(shù)載流子——空穴，而少數(shù)載流子是自由電子。P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電。由于空穴主要由所摻入雜質(zhì)原子提供，摻入三價的雜質(zhì)越多，空穴的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。而自由電子是由熱激發(fā)形成，環(huán)境溫度越高，熱激發(fā)越激烈。

3、PN結(jié)及特性：P型和N型半導(dǎo)體接觸時，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有內(nèi)建一個由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場。由于內(nèi)電場是由多子建成，所以達(dá)到平衡后，內(nèi)建電場將阻擋多數(shù)載流子的擴(kuò)散，但不能阻止少數(shù)載流子。P區(qū)和N區(qū)的少數(shù)載流子一旦接近PN結(jié)，便在內(nèi)電場的作用下漂移到對方。

下面，講一下ＰＮ結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/span>

外加正向電壓（正偏）：在外電場作用下，多子將向ＰＮ結(jié)移動，結(jié)果使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場被削弱，有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移，擴(kuò)散運(yùn)動起主要作用。結(jié)果，Ｐ區(qū)的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區(qū)，而Ｎ區(qū)的多子自由電子亦不斷流向Ｐ區(qū)，這兩股載流子的流動就形成了ＰＮ結(jié)的正向電流。

外加反向電壓（反偏）：在外電場作用下，多子將背離ＰＮ結(jié)移動，結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬，內(nèi)電場被增強(qiáng)，有利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散，漂移運(yùn)動起主要作用。漂移運(yùn)動產(chǎn)生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱為反向電流。因少子濃度很低，反向電流遠(yuǎn)小于正向電流。當(dāng)溫度一定時，少子濃度一定，反向電流幾乎不隨外加電壓而變化，故稱為反向飽和電流。

4、擴(kuò)散和漂移：多數(shù)載流子移動時擴(kuò)散，少數(shù)載流子移動時漂移。

5、復(fù)合：電子和空穴相遇就會復(fù)合，大量的電子-空穴對復(fù)合就形成電流。

6、空間電荷區(qū)：也稱耗盡層。在PN結(jié)中，由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動和內(nèi)電場導(dǎo)致的漂移運(yùn)動，使PN結(jié)中間的部位（P區(qū)和N區(qū)交界面）產(chǎn)生一個很薄的電荷區(qū)，它就是空間電荷區(qū)。在這個區(qū)域內(nèi)，多數(shù)載流子已擴(kuò)散到對方并復(fù)合掉了，或者說消耗殆盡了，因此空間電荷區(qū)又稱為耗盡層。P區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)負(fù)電荷，N區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)正電荷，因此空間電荷區(qū)出現(xiàn)了方向由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場。內(nèi)電場將阻礙多子的擴(kuò)散，而少子一旦靠近PN結(jié)，便在內(nèi)電場的作用下漂移到對方。

PN結(jié)正偏時，內(nèi)電場減弱，有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移；PN結(jié)反偏時，擴(kuò)散運(yùn)動使空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強(qiáng)，有利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散。

7、內(nèi)電場：PN結(jié)附近空間電荷區(qū)中，方向由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場。內(nèi)電場對多數(shù)載流子起隔離作用，而對少數(shù)載流子起導(dǎo)通作用。

8、載流子：可以自由移動的帶有電荷的物質(zhì)微粒，如電子和離子。金屬中為電子，半導(dǎo)體中有兩種載流子即電子和空穴。

9、少數(shù)載流子：P型半導(dǎo)體地少數(shù)載流子是自由電子，N型半導(dǎo)體中是空穴。

10、二極管：單向?qū)щ娦?。正偏多?shù)載流子可以通過，反偏少數(shù)載流子可以通過。反偏時P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體不能提供源源不斷的少數(shù)載流子，所以反偏近似無電流。