2027年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望突破60億美元。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),2027年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模由2021年的10.90億美元增至62.97億美元,2021-2027年每年以34%年均復(fù)合增長率快速增長。
第三代半導(dǎo)體材料滲透率逐年提升,2023年有望接近5%。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),Si仍是半導(dǎo)體材料主流,占比95%。第三代半導(dǎo)體滲透率逐年上升,SiC滲透率在2023年有望達(dá)到3.75%,GaN滲透率在2023年達(dá)到1.0%,第三代半導(dǎo)體滲透率總計(jì)4.75%。
魯晶半導(dǎo)體專注于半導(dǎo)體功率器件(二極管、三極管、MOS管、碳化硅功率器件)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。
圖1全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測(單位:百萬美元)(左)和2017-2023年全球主要半導(dǎo)體材料滲透率及預(yù)測(右)
圖2全球SiC功率半導(dǎo)體廠商列表